Envoyer cet article par courriel Etude de l’influence du dopage CIGS sur les paramètres électriques macroscopiques de la cellule solaire traité au fluorure de potassium
Résumé
Dans ce travail, l’hétérojonction composée d’une couche d’oxyde conducteur transparent (OTC) ZnO de type n, d’une couche tampon CdS de type n et d’une couche d’absorbeur à base de Cu(In,Ga)Se2 dopée p, est étudiée sous l’influence du taux de dopage de l’absorbeur CIGS avec différente épaisseurs de fluorure de potassium ( KF) mise dans l’interface CIGS/CdS. Cette étude a été faite en variant à l’aide d’un logiciel de simulation pour les couches minces dénommé SCAPS-1D afin de déterminer l’épaisseur optimale. Nous avons pris trois épaisseurs 20nm, 25nm et 30nm de KF et le dopage de la couche de CIGS a été varié en vue de trouver les dopages optimums pour une meilleure performance de la cellule. Les résultats ont montré que pour des épaisseurs de 20 nm, 25nm et 30nm de KF, les dopages adéquats de l’absorbeur CIGS doivent être 4,80.1016𝑐𝑚−3, 3,80. 1016𝑐𝑚−3 et 2,33.1016𝑐𝑚−3 correspondant à des rendements de conversions maximales de 23,62%, 23,32% et 23,02% respectivement.
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PDFRéférences
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