Détermination des niveaux d’énergie et des états quantiques, pour une photopile à puits quantique avec une hétérojonction (InAs/GaAs), à partir de la résolution de l’équation de schrödinger
Résumé
Mots-clés
Texte intégral :
PDFRéférences
John A. Gil-Corrales, Alvaro L. Morales, Carlos A. Duque «Self-Consistent Study of GaAs/AlGaAs Quantum Wells with Modulated Doping», Nanomatériaux 2023 , 13, 913.
G. Gulyamov, A.B. Davlatov, S.T. Inoyatov, and S.A. Makhmudov «Calculation of the energy levels and wave functions of electrons in nanowires by the shooting method», Journal of Applied Science and Engineering, Vol. 25, No 1, Page 31-36(2021).
L. Chenini, A. Aissat, J.P. Vilcot, «Optimization of Inter-subband Absorption of InGaAsSb/GaAs Quantum Wells Structure», (2021).
A. Bouazra, S. Mnasri, S. Abdi-Ben Nasrallah,and M. Said «Numerical modeling of InAs quantum dot with application of coordinate transformation and finite difference method». (2014)
T.B. Boykin, and G. Klimeck, «The Discretized Schrodinger Equation and Simple Models for Semi conductor Quantum Wells». (2004)
J.M., Chauveau, M.Laügt, P.Venneguès, M.Teisseire, Lo, B., C.Deparis, C. Morhain, and B.Vinter, « Semiconductor Science and technology» (2008)
W. J. Schaffer, M. D. Lind, S. P. Kowalczyk, and R. W. Grant, «Nucleation and strain
relaxation at the InAs/GaAs(100) heterojunction,» J. Vac. Sci. Technol. B 1, 688 (1983).
L. Goldstein, F. Glas, M. N. Charasse J.-Y. Marzin, and G. LeRoux, «Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices,» Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
J. C. Rimada, L. M. Hernández, « A new approach to ideal AlGaAs MQW solar cells», Modern physics letters B, vol. 15, No.17n19, pp.778-781(2001).
S.J. Lade, A. Zahedi, «A revised ideal model for AlGaAs/GaAs quantum well solar cells», Microelectronics Journal 35 (2004) 401–410.
Renvois
- Il n'y a présentement aucun renvoi.